MJW21193G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJW21193G概述

ON SEMICONDUCTOR MJW21193G 单晶体管双极, 音频, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -30 A, 20 hFE

PNP 功率，

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

MJW21193G中文资料参数规格

技术参数

频率 4 MHz

额定电压DC -250 V

额定电流 -16.0 A

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 16A

最小电流放大倍数hFE 20 @8A, 5V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 200 W

直流电流增益hFE 20

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.08 mm

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 电源管理, 工业, Audio, 音频, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJW21193G引脚图与封装图

在线购买MJW21193G

型号： MJW21193G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR MJW21193G 单晶体管双极, 音频, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -30 A, 20 hFE

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替代型号MJW21193G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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