MJW21191参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJW21191概述

功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

Bipolar BJT Transistor PNP 150V 8A 4MHz 125W Through Hole TO-247

得捷:
TRANS PNP 150V 8A TO247-3

艾睿:
Trans GP BJT PNP 150V 8A 3-Pin3+Tab TO-247 Rail

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 150V 8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

MJW21191中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -150 V

额定电流 -4.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 15 @4A, 2V

额定功率Max 125 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MJW21191

型号： MJW21191

描述：功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

替代型号MJW21191