硅功率晶体管 Silicon Power Transistors
- 双极 BJT - 单 NPN 250 V 16 A 4MHz 250 W 通孔 TO-204(TO-3)
欧时:
BIP T03 NPN 16A 250V FG
得捷:
TRANS NPN 250V 16A TO204
立创商城:
MJ21196G
艾睿:
Trans GP BJT NPN 250V 16A 250000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
安富利:
Trans GP BJT NPN 250V 16A 3-Pin2+Tab TO-204 Tray
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 250V 16A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
Verical:
Trans GP BJT NPN 250V 16A 250000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJ21196G Bipolar BJT Single Transistor, Audio, NPN, 250 V, 4 MHz, 250 W, 16 A, 25 hFE
频率 4 MHz
额定电压DC 250 V
额定电流 16.0 A
极性 NPN
耗散功率 250 W
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 16A
最小电流放大倍数hFE 25 @8A, 5V
最大电流放大倍数hFE 75
额定功率Max 250 W
直流电流增益hFE 25
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
宽度 26.67 mm
封装 TO-204-2
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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