MJ11015G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJ11015G概述

PNP 复合晶体管，On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管（集成或分离设备）的复合结构。这些设备连接，因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

PNP 复合，On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

MJ11015G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -120 V

额定电流 -30.0 A

输出电压 120 V

输出电流 30 A

针脚数 2

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 30A

最小电流放大倍数hFE 1000 @20A, 5V

额定功率Max 200 W

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 4MHz Min

耗散功率Max 200000 mW

输入电压 5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-204-2

外形尺寸

长度 39.37 mm

宽度 26.67 mm

高度 8.51 mm

封装 TO-204-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Signal Processing, Industrial, 电源管理, 便携式器材, Consumer Electronics, Power Management, Portable Devices, 信号处理, Signal Processing, Power Management, Portable Devices,

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJ11015G引脚图与封装图

在线购买MJ11015G

型号： MJ11015G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：PNP 复合晶体管，On Semiconductor 这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管（集成或分离设备）的复合结构。这些设备连接，因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

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