MJ15002G

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MJ15002G概述

互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors

Complementary Silicon Power Transistors

The MJ15001 and MJ15002 are EpiBase™ power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications.

Features

• High Safe Operating Area 100% Tested − 5.0 A @ 40 V

                                                           0.5 A @ 100 V

• For Low Distortion Complementary Designs

• High DC Current Gain − hFE = 25 Min @ IC = 4 Adc

• Pb−Free Packages are Available
.
MJ15002G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -140 V

额定电流 15.0 A

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 200 W

增益频宽积 2 MHz

击穿电压集电极-发射极 140 V

集电极最大允许电流 15A

最小电流放大倍数hFE 25 @4A, 2V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-204-2

外形尺寸

长度 39.37 mm

宽度 26.67 mm

高度 8.51 mm

封装 TO-204-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJ15002G
型号: MJ15002G
描述:互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors
替代型号MJ15002G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJ15002G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MJ15002

安森美

功能相似

MJ15002G和MJ15002的区别

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