






互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors
Complementary Silicon Power Transistors
The MJ15001 and MJ15002 are EpiBase™ power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications.
Features
• High Safe Operating Area 100% Tested − 5.0 A @ 40 V
0.5 A @ 100 V
• For Low Distortion Complementary Designs
• High DC Current Gain − hFE = 25 Min @ IC = 4 Adc
• Pb−Free Packages are Available额定电压DC -140 V
额定电流 15.0 A
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 200 W
增益频宽积 2 MHz
击穿电压集电极-发射极 140 V
集电极最大允许电流 15A
最小电流放大倍数hFE 25 @4A, 2V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-204-2
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJ15002G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJ15002 安森美 | 功能相似 | MJ15002G和MJ15002的区别 |