ON SEMICONDUCTOR MJ11032G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, 18 hFE
NPN 复合，On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
额定电压DC 120 V
额定电流 50.0 A
额定功率 300 W
输出电压 120 V
输出电流 50 A
针脚数 2
极性 NPN
耗散功率 300 W
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 50A
最小电流放大倍数hFE 1000
最大电流放大倍数hFE 18000
额定功率Max 300 W
直流电流增益hFE 18000
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
输入电压 5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
长度 38.86 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Audio, 音频
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJ11032G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJ11028G 安森美 | 类似代替 | MJ11032G和MJ11028G的区别 |
MJ11032 安森美 | 类似代替 | MJ11032G和MJ11032的区别 |
MJ11030G 安森美 | 功能相似 | MJ11032G和MJ11030G的区别 |