








ON SEMICONDUCTOR MJ11028G 达林顿双极晶体管
- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 60 V 50 A 300 W 通孔 TO-204(TO-3)
得捷:
TRANS NPN DARL 60V 50A TO204
立创商城:
50 A,60 V NPN 达林顿双极功率晶体管
e络盟:
ON SEMICONDUCTOR MJ11028G 达林顿双极晶体管
艾睿:
Trans Darlington NPN 60V 50A 300000mW 3-Pin2+Tab TO-204 Tray
安富利:
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Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 60V 50A 300000mW 3-Pin2+Tab TO-204 Tray
TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 50A; 300W; TO3
Verical:
Trans Darlington NPN 60V 50A 300000mW 3-Pin2+Tab TO-204 Tray
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJ11028G Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 60 V, 300 W, 50 A, 18 hFE
额定电压DC 50.0 V
额定电流 50.0 A
针脚数 2
极性 NPN
耗散功率 300 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 50A
最小电流放大倍数hFE 1000 @25A, 5V
最大电流放大倍数hFE 18000
额定功率Max 300 W
直流电流增益hFE 18
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
宽度 26.67 mm
封装 TO-204-2
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 电源管理, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJ11028G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJ11032G 安森美 | 类似代替 | MJ11028G和MJ11032G的区别 |
MJ11028 安森美 | 类似代替 | MJ11028G和MJ11028的区别 |
MJ11030G 安森美 | 功能相似 | MJ11028G和MJ11030G的区别 |