MC33201VDG

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MC33201VDG概述

MC33201/2/4、NCV33202/4、12V 低噪声、轨对轨输入/输出、高输出驱动、运算放大器,ON SemiconductorON Semiconductor MC33201/2/4、NCV33202/4 运算放大器在输入和输出上提供轨对轨操作。 驱动输入超出电源轨高达 200 mV,输出上无相位反转,并且每个轨的输出可在 50 mV 内摆动。 此轨对轨操作可使您充分利用可用的电源电压范围。 输出电流提升技术提供高输出电流能力,同时保持放大器漏极电流最低。 低噪声、低失真、高转换速率和驱动能力使其特别适用于音频应用。低电压、单电源工作(+1.8 V 和接地至 +12 V 和接地) 输入电压范围包括两个电源轨 两个轨的输出电压摆幅在 50 mV 内 输入信号过载时输出上无相位反转 高输出电流(ISC = 80 mA,典型) 高输出电流(ID = 0.9 mA,典型) 600 W 输出驱动能力 典型增益带宽产品 = 2.2 MHz ### 运算放大器,ON Semiconductor

MC33201/2/4、NCV33202/4、12V 低噪声、轨对轨输入/输出、高输出驱动、,

ON Semiconductor MC33201/2/4、NCV33202/4 运算放大器在输入和输出上提供轨对轨操作。 驱动输入超出电源轨高达 200 mV,输出上无相位反转,并且每个轨的输出可在 50 mV 内摆动。 此轨对轨操作可使您充分利用可用的电源电压范围。

输出电流提升技术提供高输出电流能力,同时保持放大器漏极电流最低。 低噪声、低失真、高转换速率和驱动能力使其特别适用于音频应用。

低电压、单电源工作(+1.8 V 和接地至 +12 V 和接地)

输入电压范围包括两个电源轨

两个轨的输出电压摆幅在 50 mV 内

输入信号过载时输出上无相位反转

高输出电流(ISC = 80 mA,典型)

高输出电流(ID = 0.9 mA,典型)

600 W 输出驱动能力

典型增益带宽产品 = 2.2 MHz

MC33201VDG中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

供电电流 900 µA

电路数 1

通道数 1

共模抑制比 60 dB

转换速率 1.00 V/μs

增益频宽积 2.2 MHz

输入补偿电压 13 mV

输入偏置电流 80 nA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 2.2 MHz

共模抑制比Min 60 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MC33201VDG引脚图与封装图
MC33201VDG引脚图
MC33201VDG封装图
MC33201VDG封装焊盘图
在线购买MC33201VDG
型号: MC33201VDG
描述:MC33201/2/4、NCV33202/4、12V 低噪声、轨对轨输入/输出、高输出驱动、运算放大器,ON Semiconductor ON Semiconductor MC33201/2/4、NCV33202/4 运算放大器在输入和输出上提供轨对轨操作。 驱动输入超出电源轨高达 200 mV,输出上无相位反转,并且每个轨的输出可在 50 mV 内摆动。 此轨对轨操作可使您充分利用可用的电源电压范围。 输出电流提升技术提供高输出电流能力,同时保持放大器漏极电流最低。 低噪声、低失真、高转换速率和驱动能力使其特别适用于音频应用。 低电压、单电源工作(+1.8 V 和接地至 +12 V 和接地) 输入电压范围包括两个电源轨 两个轨的输出电压摆幅在 50 mV 内 输入信号过载时输出上无相位反转 高输出电流(ISC = 80 mA,典型) 高输出电流(ID = 0.9 mA,典型) 600 W 输出驱动能力 典型增益带宽产品 = 2.2 MHz ### 运算放大器,ON Semiconductor
替代型号MC33201VDG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MC33201VDG

ON Semiconductor 安森美

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安森美

完全替代

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