MC33174VDG

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MC33174VDG概述

MC33171/2/4,MCV33172,低功率,单电源 3 V 至 44 V,运算放大器,ON SemiconductorMC33171(单路),MC33172(双路),MC33174(四路) 低电源电流:每个放大器 180 μA 宽带宽:1.8 MHz 高转换速率:2.1 V/μs 低输入偏置电压:2 mV NCV33172 适用于汽车应用;符合 AEC-Q100

MC33171/2/4,MCV33172,低功率,单电源 3 V 至 44 V,,

MC33171(单路),MC33172(双路),MC33174(四路)

低电源电流:每个放大器 180 μA

宽带宽:1.8 MHz

高转换速率:2.1 V/μs

低输入偏置电压:2 mV

NCV33172 适用于汽车应用;符合 AEC-Q100


得捷:
OPERATIONAL AMPLIFIER, SINGLE SU


立创商城:
MC33174VDG


欧时:
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贸泽:
Operational Amplifiers - Op Amps 3-44V Quad Low Power Industrial Temp


艾睿:
Op Amp Quad Low Power Amplifier ±22V/44V 14-Pin SOIC N Tube


Allied Electronics:
MC33174VDG, Quad Op Amp, 1.8MHz Push-Pull, 3 - 44 V, 14-Pin SOIC


安富利:
OP Amp Quad GP ±22V/44V 14-Pin SOIC Tube


Verical:
Op Amp Quad Low Power Amplifier ±22V/44V 14-Pin SOIC N Tube


力源芯城:
低功耗


MC33174VDG中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

供电电流 220 µA

电路数 4

通道数 4

共模抑制比 80 dB

增益频宽积 1.8 MHz

输入补偿电压 2 mV

输入偏置电流 20 nA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 1.8 MHz

共模抑制比Min 80 dB

电源电压Max 44 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 SOIC-14

外形尺寸

长度 8.75 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-14

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MC33174VDG引脚图与封装图
MC33174VDG引脚图
MC33174VDG封装图
MC33174VDG封装焊盘图
在线购买MC33174VDG
型号: MC33174VDG
描述:MC33171/2/4,MCV33172,低功率,单电源 3 V 至 44 V,运算放大器,ON Semiconductor MC33171(单路),MC33172(双路),MC33174(四路) 低电源电流:每个放大器 180 μA 宽带宽:1.8 MHz 高转换速率:2.1 V/μs 低输入偏置电压:2 mV NCV33172 适用于汽车应用;符合 AEC-Q100
替代型号MC33174VDG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MC33174VDG

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MC33174VDR2G

安森美

完全替代

MC33174VDG和MC33174VDR2G的区别

MC33174VDR2

安森美

完全替代

MC33174VDG和MC33174VDR2的区别

MC33174DR2G

安森美

类似代替

MC33174VDG和MC33174DR2G的区别

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