MBR12035CT

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MBR12035CT概述

Diode Schottky 35V 120A 3Pin Twin Tower

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 120A DC Chassis Mount Twin Tower


得捷:
DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER


艾睿:
Diode Schottky 35V 120A 3-Pin3+Tab Twin Tower


Verical:
Rectifier Diode Schottky 35V 120A 3-Pin Twin Tower


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  MBR12035CT  Diode Module, Silicon, 35 V, 60 A, 650 mV, Single


AMEYA360:
DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER


Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Std Config - 35V - 120A - Twin Tower


MBR12035CT中文资料参数规格
技术参数

正向电压 650mV @120A

正向电流 60 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 800 A

正向电压Max 650 mV

正向电流Max 120000 mA

封装参数

引脚数 3

封装 Twin Tower

外形尺寸

封装 Twin Tower

物理参数

工作温度 125 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买MBR12035CT
型号: MBR12035CT
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Diode Schottky 35V 120A 3Pin Twin Tower

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