MBR400100CTR概述
Diode Schottky 100V 400A 3Pin Twin Tower
Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky, Reverse Polarity 100V 400A DC Chassis Mount Twin Tower
得捷:
DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
艾睿:
Diode Schottky 100V 400A 3-Pin3+Tab Twin Tower
Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR MBR400100CTR Diode Module, Silicon, 100 V, 200 A, 840 mV, Single
AMEYA360:
DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER
Electro Sonic:
Diode Schottky 100V 400A 3-Pin3+Tab Twin Tower
MBR400100CTR中文资料参数规格
技术参数
正向电压 840mV @200A
正向电流 200 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 3 kA
正向电压Max 840 mV
正向电流Max 400 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 Twin Tower
外形尺寸
封装 Twin Tower
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Each
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买MBR400100CTR