MBR12060CT

MBR12060CT图片1
MBR12060CT图片2
MBR12060CT图片3
MBR12060CT图片4
MBR12060CT图片5
MBR12060CT图片6
MBR12060CT图片7
MBR12060CT概述

Diode Schottky 60V 120A 3Pin Twin Tower

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 60V 120A DC Chassis Mount Twin Tower


得捷:
DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER


艾睿:
Diode Schottky 60V 120A 3-Pin Twin Tower


AMEYA360:
DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER


Electro Sonic:
Diode Schottky 60V 120A 2-Pin Twin Tower


MBR12060CT中文资料参数规格
技术参数

正向电压 750mV @60A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 800 A

正向电压Max 750mV @60A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Twin Tower

外形尺寸

封装 Twin Tower

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MBR12060CT
型号: MBR12060CT
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Diode Schottky 60V 120A 3Pin Twin Tower

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司