MUR10060CT

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MUR10060CT概述

GENESIC SEMICONDUCTOR  MUR10060CT  二极管模块, 硅, 600 V, 50 A, 1.7 V, 单路, MUR10 Series

Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 100A DC Chassis Mount Twin Tower


得捷:
DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER


e络盟:
二极管模块, 硅, 600 V, 50 A, 1.7 V, 单路, MUR10 Series


艾睿:
Diode Switching 600V 100A 3-Pin Twin Tower


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  MUR10060CT  Diode Module, Silicon, 600 V, 50 A, 1.7 V, Single


Win Source:
DIODE MODULE 600V 50A 2TOWER / Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 50A Chassis Mount Twin Tower


MUR10060CT中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.7V @50A

反向恢复时间 110 ns

正向电流 50 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 400 A

正向电压Max 1.7 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买MUR10060CT
型号: MUR10060CT
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:GENESIC SEMICONDUCTOR  MUR10060CT  二极管模块, 硅, 600 V, 50 A, 1.7 V, 单路, MUR10 Series

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