MBR40035CTR

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MBR40035CTR概述

Diode Schottky 35V 400A 3Pin3+Tab Twin Tower

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky, Reverse Polarity 35V 400A DC Chassis Mount Twin Tower


得捷:
DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER


贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers 35V 400A Schottky Recovery


艾睿:
Diode Schottky 35V 400A 3-Pin3+Tab Twin Tower


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  MBR40035CTR  Diode Module, Silicon, 35 V, 200 A, 650 mV, Single


AMEYA360:
DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER


Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Rev Config - 35V - 400A - Twin Tower


MBR40035CTR中文资料参数规格
技术参数

正向电压 700mV @200A

正向电流 200 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 3000 A

正向电压Max 650 mV

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买MBR40035CTR
型号: MBR40035CTR
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Diode Schottky 35V 400A 3Pin3+Tab Twin Tower

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