MBR20030CT

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MBR20030CT概述

肖特基二极管与整流器 30V 200A Schottky Recovery

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30V 200A DC Chassis Mount Twin Tower


得捷:
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER


贸泽:
肖特基二极管与整流器 30V 200A Schottky Recovery


艾睿:
Diode Schottky 30V 200A 3-Pin3+Tab Twin Tower


AMEYA360:
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER


Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Std Config - 30V - 200A - Twin Tower


MBR20030CT中文资料参数规格
技术参数

正向电压 650mV @100A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 125 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MBR20030CT
型号: MBR20030CT
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:肖特基二极管与整流器 30V 200A Schottky Recovery

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