MBR20035CTR

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MBR20035CTR概述

肖特基二极管与整流器 35V 200A Schottky Recovery

阵列 1 对共阳极 肖特基 35 V 200A(DC) 底座安装 双塔架


得捷:
DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER


贸泽:
肖特基二极管与整流器 35V 200A Schottky Recovery


艾睿:
Diode Schottky 35V 200A 3-Pin3+Tab Twin Tower


AMEYA360:
DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER


Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Rev Config - 35V - 200A - Twin Tower


MBR20035CTR中文资料参数规格
技术参数

正向电压 650mV @100A

正向电压Max 650mV @100A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

封装 Twin Tower

外形尺寸

封装 Twin Tower

物理参数

工作温度 125 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MBR20035CTR
型号: MBR20035CTR
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:肖特基二极管与整流器 35V 200A Schottky Recovery

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