MBR40035CT

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MBR40035CT概述

Diode Schottky 35V 400A 3Pin3+Tab Twin Tower

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 400A DC Chassis Mount Twin Tower


得捷:
DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER


艾睿:
Diode Schottky 35V 400A 3-Pin3+Tab Twin Tower


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  MBR40035CT  Diode Module, Silicon, 35 V, 200 A, 650 mV, Single


Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Std Config - 35V - 400A - Twin Tower


MBR40035CT中文资料参数规格
技术参数

正向电压 700mV @200A

正向电流 200 A

正向电压Max 650 mV

封装参数

引脚数 2

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 100 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买MBR40035CT
型号: MBR40035CT
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Diode Schottky 35V 400A 3Pin3+Tab Twin Tower

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