MBR20045CT

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MBR20045CT概述

Diode Schottky 45V 200A 3Pin3+Tab Twin Tower

阵列 1 对共阴极 肖特基 45 V 200A(DC) 底座安装 双塔架


得捷:
DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER


艾睿:
Diode Schottky 45V 200A 3-Pin3+Tab Twin Tower


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  MBR20045CT  Diode Module, 45 V, 200 A, 650 mV, 1 Pair Common Cathode


AMEYA360:
DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER


Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Std Config - 45V - 200A - Twin Tower


MBR20045CT中文资料参数规格
技术参数

正向电压 650mV @100A

正向电流 200 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 1500 A

正向电压Max 650 mV

正向电流Max 200 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 Twin Tower

外形尺寸

封装 Twin Tower

物理参数

工作温度 125 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买MBR20045CT
型号: MBR20045CT
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Diode Schottky 45V 200A 3Pin3+Tab Twin Tower
替代型号MBR20045CT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MBR20045CT

GeneSiC Semiconductor

当前型号

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200CNQ035

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