MBR12020CTR

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MBR12020CTR概述

Diode Schottky 20V 120A 2Pin Twin Tower

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 20V 120A DC Chassis Mount Twin Tower


得捷:
DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER


艾睿:
Diode Schottky 20V 120A 2-Pin Twin Tower


Verical:
Diode Schottky 20V 120A 2-Pin Twin Tower


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  MBR12020CTR  Diode Module, Silicon, 20 V, 60 A, 650 mV, Single


AMEYA360:
DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER


Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Rev Config - 20V - 120A - Twin Tower


MBR12020CTR中文资料参数规格
技术参数

正向电压 650mV @120A

正向电流 60 A

正向电压Max 650 mV

正向电流Max 120000 mA

封装参数

引脚数 3

封装 Twin Tower

外形尺寸

封装 Twin Tower

物理参数

工作温度 125 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买MBR12020CTR
型号: MBR12020CTR
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Diode Schottky 20V 120A 2Pin Twin Tower

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