MBR20030CTR

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MBR20030CTR概述

Diode Schottky 30V 200A 3Pin3+Tab Twin Tower

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 30V 200A DC Chassis Mount Twin Tower


得捷:
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER


贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 200A Schottky Recovery


艾睿:
Diode Schottky 30V 200A 3-Pin3+Tab Twin Tower


AMEYA360:
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER


Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Rev Config - 30V - 200A - Twin Tower


MBR20030CTR中文资料参数规格
技术参数

正向电压 650mV @100A

正向电流 200 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 1500 A

正向电压Max 650mV @100A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MBR20030CTR
型号: MBR20030CTR
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Diode Schottky 30V 200A 3Pin3+Tab Twin Tower

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