MBR30030CTR

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MBR30030CTR概述

Diode Schottky 30V 300A 3Pin3+Tab Twin Tower

阵列 1 对共阳极 肖特基 30 V 300A(DC) 底座安装 双塔架


得捷:
DIODE MODULE 30V 150A 2TOWER


艾睿:
Diode Schottky 30V 300A 3-Pin3+Tab Twin Tower


AMEYA360:
DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER


Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Rev Config - 30V - 300A - Twin Tower


MBR30030CTR中文资料参数规格
技术参数

正向电压 650mV @150A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 2500 A

正向电压Max 650mV @150A

封装参数

封装 Twin Tower

外形尺寸

封装 Twin Tower

物理参数

工作温度 100 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MBR30030CTR
型号: MBR30030CTR
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Diode Schottky 30V 300A 3Pin3+Tab Twin Tower

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