MBR30035CTR

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MBR30035CTR概述

GENESIC SEMICONDUCTOR  MBR30035CTR  二极管模块, 硅, 35 V, 150 A, 650 mV, 双共阳极, MBR30 Series

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky, Reverse Polarity 35V 300A Chassis Mount Twin Tower


得捷:
DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER


贸泽:
肖特基二极管与整流器 35V 300A Schottky Recovery


e络盟:
二极管模块, 硅, 35 V, 150 A, 650 mV, 双共阳极, MBR30 Series


艾睿:
Diode Schottky 35V 300A 3-Pin3+Tab Twin Tower


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  MBR30035CTR  Diode Module, Silicon, 35 V, 150 A, 650 mV, Single


AMEYA360:
DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER


Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Rev Config - 35V - 300A - Twin Tower


MBR30035CTR中文资料参数规格
技术参数

正向电压 700mV @150A

正向电流 150 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 2500 A

正向电压Max 650 mV

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

引脚数 2

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买MBR30035CTR
型号: MBR30035CTR
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:GENESIC SEMICONDUCTOR  MBR30035CTR  二极管模块, 硅, 35 V, 150 A, 650 mV, 双共阳极, MBR30 Series

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