MURT10020R

MURT10020R图片1
MURT10020R概述

Diode Switching 200V 100A 3Pin3+Tab Three Tower

阵列 - 标准型, 反极性 100A(DC) 底座安装 三塔


得捷:
DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER


贸泽:
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A200P/141R


艾睿:
Diode Switching 200V 100A 3-Pin3+Tab Three Tower


AMEYA360:
DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER


MURT10020R中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.3V @50A

反向恢复时间 75 ns

正向电流 100 A

正向电压Max 1.3V @50A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买MURT10020R
型号: MURT10020R
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Diode Switching 200V 100A 3Pin3+Tab Three Tower

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