MURT10060R参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

MURT10060R图片1

MURT10060R概述

Diode Switching 600V 100A 3Pin Three Tower

阵列 - 标准型，反极性 100A（DC）底座安装三塔

得捷:
DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

艾睿:
Diode Switching 600V 100A 3-Pin Three Tower

MURT10060R中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.7V @100A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买MURT10060R

型号： MURT10060R

制造商： GeneSiC Semiconductor

描述：Diode Switching 600V 100A 3Pin Three Tower