MBR50060CTR

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MBR50060CTR概述

Diode Schottky 60V 500A 3Pin3+Tab Twin Tower

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky, Reverse Polarity 600V 500A DC Chassis Mount Twin Tower


得捷:
DIODE MODULE 600V 250A 2TOWER


艾睿:
Diode Schottky 60V 500A 3-Pin3+Tab Twin Tower


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  MBR50060CTR  Diode Module, 60 V, 500 A, 800 mV, 1 Pair Common Anode


AMEYA360:
DIODE MODULE 600V 500A 2TOWER


Electro Sonic:
Diode Schottky 60V 500A 3-Pin3+Tab Twin Tower


MBR50060CTR中文资料参数规格
技术参数

极性 Male

正向电压 800mV @250A

正向电流 500 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 3500 A

正向电压Max 800 mV

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 Twin Tower

外形尺寸

封装 Twin Tower

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买MBR50060CTR
型号: MBR50060CTR
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Diode Schottky 60V 500A 3Pin3+Tab Twin Tower

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