MURT40060

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MURT40060概述

GENESIC SEMICONDUCTOR MURT40060 Diode Module, Silicon, 600V, 200A, 1.7V, Dual Common Cathode, MURT4 Series

阵列 1 对共阴极 标准 400A(DC) 底座安装 三塔


得捷:
DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER


艾睿:
Diode Switching 600V 400A 3-Pin3+Tab Three Tower


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  MURT40060  Diode Module, Silicon, 600 V, 200 A, 1.7 V, Dual Common Cathode


AMEYA360:
DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER


MURT40060中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.7V @200A

反向恢复时间 240 ns

正向电流 200 A

正向电压Max 1.7 V

正向电流Max 400 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买MURT40060
型号: MURT40060
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:GENESIC SEMICONDUCTOR MURT40060 Diode Module, Silicon, 600V, 200A, 1.7V, Dual Common Cathode, MURT4 Series

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