MBR60035CTR

MBR60035CTR图片1
MBR60035CTR图片2
MBR60035CTR图片3
MBR60035CTR概述

Diode Schottky 35V 600A 3Pin3+Tab Twin Tower

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 35V 300A Chassis Mount Twin Tower


得捷:
DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER


艾睿:
Diode Schottky 35V 600A 3-Pin3+Tab Twin Tower


Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Rev Config - 35V - 600A - Twin Tower


MBR60035CTR中文资料参数规格
技术参数

正向电压 750mV @300A

正向电压Max 750mV @300A

封装参数

封装 Twin Tower

外形尺寸

封装 Twin Tower

物理参数

工作温度 100 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MBR60035CTR
型号: MBR60035CTR
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Diode Schottky 35V 600A 3Pin3+Tab Twin Tower

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台