MBR60080CT

MBR60080CT图片1
MBR60080CT图片2
MBR60080CT图片3
MBR60080CT概述

Diode Schottky 80V 600A 3Pin3+Tab Twin Tower

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 80V 300A Chassis Mount Twin Tower


得捷:
DIODE MODULE 80V 300A 2TOWER


艾睿:
Diode Schottky 80V 600A 3-Pin3+Tab Twin Tower


AMEYA360:
DIODE MODULE 80V 600A 2TOWER


Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Std Config - 80V - 600A - Twin Tower


MBR60080CT中文资料参数规格
技术参数

正向电压 880mV @300A

正向电压Max 880mV @300A

封装参数

安装方式 Chassis

封装 Twin Tower

外形尺寸

封装 Twin Tower

物理参数

工作温度 100 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MBR60080CT
型号: MBR60080CT
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Diode Schottky 80V 600A 3Pin3+Tab Twin Tower

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司