MG06400D-BN4MM

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MG06400D-BN4MM概述

IGBT 模块,Littelfuse超低损耗 非常坚固 高短路能力 正温度系数 在电动机驱动、反相器、直流/直流转换器、SMPS 和 UPS 中应用 ### IGBT(绝缘栅双极型晶体管)分立和模块绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 模块,

超低损耗

非常坚固

高短路能力

正温度系数

在电动机驱动、反相器、直流/直流转换器、SMPS 和 UPS 中应用

### IGBT(绝缘栅双极型)分立和模块

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


得捷:
IGBT MODULE 600V 400A 1250W D3


欧时:
### IGBT 模块,Littelfuse超低损耗 非常坚固 高短路能力 正温度系数 在电动机驱动、反相器、直流/直流转换器、SMPS 和 UPS 中应用 ### IGBT(绝缘栅双极型晶体管)分立和模块绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


贸泽:
IGBT Modules 600V 400A Dual 150TVj


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 500A 1250000mW 7-Pin Bulk


Newark:
# LITTELFUSE  MG06400D-BN4MM  IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 500 A, 1.45 V, 1.25 kW, 600 V, Module


MG06400D-BN4MM中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 1.25 kW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 26nF @25V

额定功率Max 1250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1.4 kW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 D-3

外形尺寸

长度 108 mm

宽度 62 mm

高度 30.5 mm

封装 D-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MG06400D-BN4MM
型号: MG06400D-BN4MM
描述:IGBT 模块,Littelfuse 超低损耗 非常坚固 高短路能力 正温度系数 在电动机驱动、反相器、直流/直流转换器、SMPS 和 UPS 中应用 ### IGBT(绝缘栅双极型晶体管)分立和模块 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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