MG12300D-BN2MM 系列 1200 V 300 A 表面贴装 双 IGBT 模块
IGBT 模块，
超低损耗
非常坚固
高短路能力
正温度系数
在电动机驱动、反相器、直流/直流转换器、SMPS 和 UPS 中应用
### IGBT（绝缘栅双极型）分立和模块
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
得捷:
IGBT MODULE 1200V 480A 1450W D3
欧时:
Littelfuse MG12300D-BN2MM N通道 IGBT 模块, 串行, 480 A, Vce=1200 V, 7引脚 62MM 模块封装
艾睿:
The MG12300D-BN2MM infineon IGBT module from Littelfuse is perfect to use as an electronic switch eliminating the current at the gate. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. Its maximum power dissipation is 1450000 mW. This product comes packaged in bulk, so the parts will be stored loosely. This IGBT driver board has an operating temperature range of -40 °C to 150 °C. It is made in a dual configuration.
Newark:
# LITTELFUSE MG12300D-BN2MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 480 A, 1.7 V, 1.45 kW, 1.2 kV, Module