MDS1100参数规格_中文资料_数据手册PDF

MDS1100概述

高功率共基极双极型晶体管。 a high power COMMON BASE bipolar transistor.

RF NPN 65V 100A 1.03GHz 8750W 表面贴装型 55TU-1

得捷:
RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1

贸泽:
RF Bipolar Transistors Avionics/Bipolar Transistor

艾睿:
Trans RF BJT NPN 65V 100A 3-Pin Case 55TU-1

MDS1100中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 8750000 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

增益 8.9 dB

最小电流放大倍数hFE 20 @5A, 5V

额定功率Max 8750 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 8750000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 55TU-1

外形尺寸

封装 55TU-1

物理参数

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： MDS1100

描述：高功率共基极双极型晶体管。 a high power COMMON BASE bipolar transistor.