一瓦达林顿晶体管 One Watt Darlington Transistors
Bipolar BJT Transistor PNP - Darlington 30V 500mA 125MHz 1W Through Hole TO-92 TO-226
得捷:
TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO92
艾睿:
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Bulk
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 125MHz Min
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
高度 7.87 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPSW63G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N2925 NTE Electronics | 功能相似 | MPSW63G和2N2925的区别 |
2N5769 Central Semiconductor | 功能相似 | MPSW63G和2N5769的区别 |
BC560B Continental Device | 功能相似 | MPSW63G和BC560B的区别 |