MPS6725G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPS6725G概述

一瓦达林顿晶体管NPN硅 One Watt Darlington Transistors NPN Silicon

- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 50 V 1 A 1GHz 1 W 通孔 TO-92（TO-226）

得捷:
TRANS NPN DARL 50V 1A TO92

艾睿:
Trans Darlington NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Bulk

MPS6725G中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 1000 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 4000 @1A, 5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MPS6725G

型号： MPS6725G

描述：一瓦达林顿晶体管NPN硅 One Watt Darlington Transistors NPN Silicon

替代型号MPS6725G