MJH11018G

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MJH11018G概述

15安培达林顿互补硅功率晶体管150〜250伏, 150瓦 15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150−250 VOLTS, 150 WATTS

Complementary Darlington Silicon Power Transistors

These devices are designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications.

Features

• High DC Current Gain @ 10 Adc — hFE = 400 Min All Types

• Collector−Emitter Sustaining Voltage

   VCEOsus = 150 Vdc Min — MJH11018, 17

                 = 200 Vdc Min — MJH11020, 19

                 = 250 Vdc Min — MJH11022, 21

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage

   VCEsat = 1.2 V Typ @ IC = 5.0 A

               = 1.8 V Typ @ IC = 10 A

• Monolithic Construction

• Pb−Free Packages are Available
.
MJH11018G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 150000 mW

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 15A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

封装 TO-247

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJH11018G
型号: MJH11018G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:15安培达林顿互补硅功率晶体管150〜250伏, 150瓦 15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150−250 VOLTS, 150 WATTS
替代型号MJH11018G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

当前型号

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