PNP达林顿晶体管 PNP Darlington Transistor
Features
• This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 800 mA.
• Sourced from Process 61.
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -1.20 A
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 20000 @100mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 125MHz Min
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPSA64 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BC33725TA 安森美 | 功能相似 | MPSA64和BC33725TA的区别 |
BC337-40 Diotec Semiconductor | 功能相似 | MPSA64和BC337-40的区别 |
BC33725BU 安森美 | 功能相似 | MPSA64和BC33725BU的区别 |