达林顿放大器晶体管（ NPN硅） Darlington Amplifier TransistorsNPN Silicon
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-EmitterVoltageVCEO| 30V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 300mA/0.3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 125MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 10000 @ 5V,0.1A 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| 1.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 描述与应用| • 该产品是无铅，无卤/ 无BFR，并符合RoHS
得捷:
TRANS SS DARL NPN 30V SOT23
艾睿:
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
Darlington Amplifier Transistors
额定电压DC 30.0 V
额定电流 300 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 20000 @100mA, 5V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 125MHz Min
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBTA14LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTA14LT1G 安森美 | 完全替代 | MMBTA14LT1和MMBTA14LT1G的区别 |