达林顿放大器晶体管（ NPN硅） Darlington Amplifier TransistorsNPN Silicon
- 双极 BJT - 单
得捷:
TRANS SS DARL NPN 30V SOT23
贸泽:
达林顿晶体管 300mA 30V NPN
艾睿:
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
Darlington Amplifier Transistors
额定电压DC 30.0 V
额定电流 300 mA
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBTA13LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTA13LT1G 安森美 | 完全替代 | MMBTA13LT1和MMBTA13LT1G的区别 |
MMBTA13 安森美 | 类似代替 | MMBTA13LT1和MMBTA13的区别 |
MMBTA13-7-F 美台 | 功能相似 | MMBTA13LT1和MMBTA13-7-F的区别 |