MPSA13

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MPSA13概述

NPN达林顿晶体管 NPN Darlington Transistor

• This device is designed for applications requiring extremely high Current gain at collector Currents to 1.0A.

• Sourced from process 05.


得捷:
TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO92


Win Source:
TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92


MPSA13中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 125MHz Min

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MPSA13
型号: MPSA13
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN达林顿晶体管 NPN Darlington Transistor
替代型号MPSA13
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MPSA13

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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