MC1413BDR2

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MC1413BDR2概述

高电压,大电流达林顿晶体管阵列 High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays

The seven NPN Darlington connected transistors in these arrays are well suited for driving lamps, relays, or printer hammers in a variety of industrial and consumer applications. Their high breakdown voltage and internal suppression diodes insure freedom from problems associated with inductive loads. Peak inrush currents to 500 mA permit them to drive incandescent lamps. The MC1413, B with a 2.7 kΩ series input resistor is well suited for systems utilizing a 5.0 V TTL or CMOS Logic.


得捷:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO


艾睿:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A Automotive 16-Pin SOIC T/R


MC1413BDR2中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 1000 @350mA, 2V

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MC1413BDR2
型号: MC1413BDR2
描述:高电压,大电流达林顿晶体管阵列 High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays
替代型号MC1413BDR2
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MC1413BDR2

ON Semiconductor 安森美

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MC1413BDR2和MC1413BDR2G的区别

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