MMBTA06WT1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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MMBTA06WT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MMBTA06WT1

型号： MMBTA06WT1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：驱动晶体管NPN硅 Driver Transistor NPN Silicon

替代型号MMBTA06WT1

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MMBTA06WT1

ON Semiconductor 安森美

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MMBTA06WT1G

安森美

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MMBTA06WT1和MMBTA06WT1G的区别