双极功率晶体管PNP硅 Bipolar Power Transistors PNP Silicon
Bipolar BJT Transistor PNP 30V 3A 110MHz 3W Surface Mount SOT-223
得捷:
TRANS PNP 30V 3A SOT223
艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1560mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Win Source:
TRANS PNP 30V 3A SOT223
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -3.00 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 125 @800mA, 1V
额定功率Max 3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1560 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMJT9435T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMJT9435T3 安森美 | 完全替代 | MMJT9435T1G和MMJT9435T3的区别 |
MMJT9435T3G 安森美 | 完全替代 | MMJT9435T1G和MMJT9435T3G的区别 |
NJT4030PT1G 安森美 | 类似代替 | MMJT9435T1G和NJT4030PT1G的区别 |