MPSH34

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MPSH34概述

NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier

Bipolar BJT Transistor NPN 40 V 50 mA 500MHz 625 mW Through Hole TO-92-3


得捷:
TRANS NPN 40V 0.05A TO92-3


贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN RF Transistor


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk


MPSH34中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 50.0 mA

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 15 @20mA, 2V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.7 mm

宽度 3.93 mm

高度 4.7 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MPSH34
型号: MPSH34
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier
替代型号MPSH34
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