MSB710-RT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MSB710-RT1G概述

PNP通用放大器晶体管表面贴装 PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

- 双极 BJT - 单 PNP - 表面贴装型 SC-59

得捷:
TRANS PNP 50V 0.5A SC59

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 500mA 60V PNP

艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SC-59 T/R

Win Source:
PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

MSB710-RT1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 120 @150mA, 10V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.09 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MSB710-RT1G

型号： MSB710-RT1G

描述：PNP通用放大器晶体管表面贴装 PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

替代型号MSB710-RT1G