MPS6651G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPS6651G概述

放大器晶体管 Amplifier Transistors

Bipolar BJT Transistor PNP 25V 1A 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 25V 1A TO92

艾睿:
Trans GP BJT PNP 25V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

MPS6651G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -25.0 V

额定电流 1.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 1V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MPS6651G

型号： MPS6651G

描述：放大器晶体管 Amplifier Transistors

替代型号MPS6651G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MPS6651G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BC550 飞兆/仙童	功能相似	MPS6651G和BC550的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MPS6651G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

BC550

飞兆/仙童

功能相似