放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistor NPN Silicon
Bipolar BJT Transistor NPN 40V 100mA 125MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 40V 0.1A TO92
艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk
Allied Electronics:
Transistor; Bipolar; Si; NPN; Amplifier; VCEO 40VDC; IC 100mA; PD 1.5W; TO-92; VCBO 4VDC
安富利:
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 3-Pin TO-92 Box
频率 125 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 100 mA
极性 N-Channel
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
热阻 83.3℃/W RθJC
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 40 @5mA, 10V
额定功率Max 625 mW
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPSA20G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
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