MPS6521G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPS6521G概述

放大器晶体管 Amplifier Transistors

- 双极 BJT - 单 NPN 25 V 100 mA - 625 mW 通孔 TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 25V 0.1A TO92

艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Box

Win Source:
TRANS NPN 25V 0.1A TO92

MPS6521G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 5.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 300 @2mA, 10V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： MPS6521G

描述：放大器晶体管 Amplifier Transistors

替代型号MPS6521G