MMBT2132T3G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBT2132T3G概述

通用晶体管NPN双极晶体管 General Purpose Transistors NPN Bipolar Junction Transistor

Bipolar BJT Transistor NPN 30V 700mA 342mW Surface Mount SC-74

得捷:
TRANS NPN 30V 0.7A SC74

艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 6-Pin SC-74 T/R

MMBT2132T3G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 700 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.7A

最小电流放大倍数hFE 150 @100mA, 3V

额定功率Max 342 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： MMBT2132T3G

描述：通用晶体管NPN双极晶体管 General Purpose Transistors NPN Bipolar Junction Transistor

替代型号MMBT2132T3G