一瓦的放大器晶体管NPN硅 One Watt Amplifier Transistor NPN Silicon
Bipolar BJT Transistor NPN 80V 500mA 1W Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 80V 0.5A TO92
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 500mA 80V NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
额定电压DC 80.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 50 @250mA, 1V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 7.87 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPS6717RLRAG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5088TA 飞兆/仙童 | 功能相似 | MPS6717RLRAG和2N5088TA的区别 |
ZTX601B 美台 | 功能相似 | MPS6717RLRAG和ZTX601B的区别 |
2N5088BU 安森美 | 功能相似 | MPS6717RLRAG和2N5088BU的区别 |