MPSA42_J18Z

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MPSA42_J18Z中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 625 mW

集电极击穿电压 300 V

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MPSA42_J18Z
型号: MPSA42_J18Z
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN High Voltage Transistor
替代型号MPSA42_J18Z
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Fairchild 飞兆/仙童

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