MMBT5087LT1

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MMBT5087LT1概述

低噪声晶体管 Low Noise Transistor

- 双极 BJT - 单


得捷:
TRANS PNP 50V 50MA SOT23


艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
Low Noise Transistor


MMBT5087LT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -50.0 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 250 @100µA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBT5087LT1
型号: MMBT5087LT1
描述:低噪声晶体管 Low Noise Transistor
替代型号MMBT5087LT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBT5087LT1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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MMBT5087LT1G

安森美

完全替代

MMBT5087LT1和MMBT5087LT1G的区别

MMBT5087LT3G

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MMBT5087

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